非制冷型光電探測(cè)器是一種高靈敏度光電探測(cè)器，兼容Si（硅）、InGaAs（銦鎵砷）、HgCdTe（碲鎘汞，MCT）、銦砷銻等半導(dǎo)體光電二極管，對(duì)0.4~12um的光譜波段光波敏感。
該探測(cè)器是直流耦合輸出，含低噪聲、寬帶寬的前置運(yùn)放，探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料，即可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾，也具備良好的散熱性能。
全國(guó)服務(wù)熱線：+86 (0574) 88357326
產(chǎn)品參數(shù)
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技術(shù)指標(biāo) |
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探測(cè)器材料 |
銦鎵砷、硅、碲鎘汞 |
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響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 |
0.4 - 12um ——注解1 |
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輸出電壓 |
±12V(Hi-Z負(fù)載)； ——注解1 |
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供電電壓 |
±12VDC(電源適配器)； |
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信號(hào)輸出接口 |
SMA |
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工作溫度范圍 |
10 - 40℃ |
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儲(chǔ)存溫度范圍 |
-25 - 70℃ |
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尺寸 |
56×54.5×20.5mm3 |
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重量 |
＜100g |
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信號(hào)帶寬 |
DC - 1MHz |
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跨阻增益 |
15000V/A（Hi-Z 負(fù)載）；7500V/A（50Ω 負(fù)載） |
注解1：具體參數(shù)根據(jù)選用不同型號(hào)的探測(cè)器芯片而不同
硅探測(cè)器：0.4-1.7um
銦鎵砷探測(cè)器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um
碲鎘汞探測(cè)器：4-12um
銦砷銻探測(cè)器：4-12um
型號(hào)規(guī)格
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
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①=A |
不集成 TEC 驅(qū)動(dòng) |
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②=D |
直流耦合輸出 |
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③=S；I；H；A |
代表探測(cè)器材質(zhì)；S=硅探測(cè)器；I代表銦鎵砷探測(cè)器；H代表碲鎘汞探測(cè)器；A代表銦砷銻探測(cè)器 |
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④ =01；02；03；04依次類推 |
探測(cè)截止波長(zhǎng); 01表示截止波長(zhǎng)為1um，02表示截止波長(zhǎng)為2um，03表示截止波長(zhǎng)為3um，依次類推?？蛻舨少?gòu)前需咨詢。 |
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⑤ =02,05,10,... |
感光面積；02表示感光面積為0.2mm2,05表示感光面積為0.5mm2?？蛻舨少?gòu)前需咨詢 |
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⑥ =01K, 02K, ...or 20 K |
前置放大器增益，默認(rèn)15K不標(biāo)識(shí)?？蛻舨少?gòu)前需咨詢。 |
例如：
HPPD-A-D-S-02-10-10K
該探測(cè)器規(guī)格為：硅探測(cè)器，一個(gè)感光面為1.0 mm2,前置放大器為直流耦合，波長(zhǎng)2um，增益為10K的探測(cè)器
注意事項(xiàng)：
1. 以上產(chǎn)品規(guī)格如有變更，恕不另行通知。
2. 建議在儲(chǔ)存，運(yùn)輸和使用時(shí)采用合適的ESD保護(hù)措施。
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